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BSO083N03MSG |
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | Infineon Technologies | 15168 | 电话:0755-83217923 询价QQ: ![]() |
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BSO083N03MSG参数 产品类别:分立半导体产品-FET - 单 说明:MOSFET N-CH 30V 11A DSO-8 包装数量:2500 包装形式:带卷 (TR) PDF资料下载: ![]() PDF资料下载: ![]() FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压 (Vdss):30V 电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):11A 不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):8.3 毫欧 @ 14A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):27nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):2100pF @ 15V 功率 - 最大值:1.56W 安装类型:表面贴装 |
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热门型号: 风扇 - DCOD3010-12HB 热 - 垫,片A16106-09 Card EdgeACC18DRXH 光隔离器 - 逻辑ACPL-K63L-560E 圆形KPSE06F18-11SZ 电阻器网络,阵列MNR14E0APJ162 选择器A22W-2AY-24A-20 圆形CA3100E18-1SBF80-08 D-SubA7NNK-2506M Card EdgeESC50DRYI-S13 |